扩散硅压力变送器误差来源
　　由于半导体材料对温度十分敏感,压阻式压力传感器的四个检测电阻多接为惠斯登电桥型,其有恒流和恒压两种工作方式。假设半导体应变片电阻Rt的温度系数为α,灵敏度K的温度系数为β,加在传感器上的电压为Vin,则电阻值、灵敏度随温度改变的表达式分别为：
　　RT=R0(1+αT) (1);KT=K0(1+βT)
　　(2)
　　则传感器输出为[2]：Vout =(△R/R0)Vin = K0(1+βT)eVin (3)
　　式中,R0—基准温度时传感器的电阻值(初始值); △R—压力引起的电阻变化;
　　K0—基准温度时灵敏度; e—应变系数。
　　由此式知,压力随温度的改变量和β的随温度的变化相同,具有较大负温度系数,温度系数为-0.002/℃~ -0.003/℃。图1给出了不同掺杂浓度下P型硅片的灵敏度系数随温度变化的曲线[3]。图中,从a 到e 各条曲线对应的掺杂浓度递增。由图可知,P型应变电阻, 无论是轻掺杂还是重掺杂,其灵敏度系数均随温度的提高而逐渐减小。由于各应变片阻值不可能匹配,且应变片的电阻温度系数在0.3%/℃左右,会造成零点漂移电压。
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